MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層

• 資料種別: 記事
• タイトル: MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層
• 著者・編者: 梅澤 昌義; 小林 佳津; 高野 泰 他
• 著者標目: 梅澤 昌義; 小林 佳津; 高野 泰
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 104(41) 2004.5.13
• 掲載巻: 104
• 掲載号: 41
• 掲載ページ: 1～4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-05-13
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: InGaAs; InAs; MOCVD; 貫通転位密度; Metal-organic chemical vapor deposition; low temperature growth; threading dislocation density
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2004-10
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6995030; http://id.ndl.go.jp/bib/6995030
• 整理区分コード: 632