Si/SiO2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果

• 資料種別: 記事
• タイトル: Si/SiO2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果
• 著者・編者: 石川 靖彦; 長田 浩平; 池田 浩也 他
• 著者標目: 石川 靖彦; 長田 浩平; 池田 浩也
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 104(40) 2004.5.14
• 掲載巻: 104
• 掲載号: 40
• 掲載ページ: 1～6
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-05-14
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: Si/SiO2; 二重障壁構造; Siドット; 単電子トンネル; Double-barrier structure; Si dot; Resonant tunneling; Single electron tunneling
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2004-23
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6995144; http://id.ndl.go.jp/bib/6995144
• 整理区分コード: 632