The Dopant Diffusion Characteristics of the PH3 Ion Shower Implantation (ISI) and RTA with Oxide Capping for SOI

• 資料種別: 記事
• タイトル: The Dopant Diffusion Characteristics of the PH3 Ion Shower Implantation (ISI) and RTA with Oxide Capping for SOI
• 著者・編者: Ki-Soo Kim; Joo-Kyung Song; Ohyun Kim
• シリーズタイトル: 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applicat ion of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)
• 著者標目: Ki-Soo Kim; Joo-Kyung Song; Ohyun Kim
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 104(155) 2004.6.30
• 掲載巻: 104
• 掲載号: 155
• 掲載ページ: 17～22
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-06-30
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: Plasma doping; PD; Ion Shower Implantation; ISI; Fully Depleted SOI; FD SOI; Source and Drain; S/D; Oxide Capping
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2004-63
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7036398; http://id.ndl.go.jp/bib/7036398
• 整理区分コード: 632