書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 佐々木 公洋北居 正弘渡瀬 博之
- 並列タイトル等
- イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエピタキシャル成長と巨大熱起電力の発現
- タイトル(掲載誌)
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 104(155) 2004.6.30
- 掲載巻
- 104
- 掲載号
- 155
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