Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Advanced CMOS LSIs--A Study on Selective Etching of SiGe Layers for SBSI Process (2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applicat ion of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Advanced CMOS LSIs--A Study on Selective Etching of SiGe Layers for SBSI Process

(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applicat ion of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004))

国立国会図書館請求記号: Z16-940
国立国会図書館書誌ID: 7036699

資料種別: 記事

著者: 山崎崇ほか

出版者: 東京 : 電子情報通信学会

出版年: 2004-06-30

資料形態: 紙

掲載誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104(152) 2004.6.30

掲載ページ: p.13～16

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Advanced CMOS LSIs--A Study on Selective Etching of SiGe Layers for SBSI Process
著者・編者: 山崎崇
大見俊一郎
盛田伸也他
シリーズタイトル: 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applicat ion of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)
著者標目: 山崎崇
大見俊一郎
盛田伸也
並列タイトル等: 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術:SBSI--SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 104(152) 2004.6.30
掲載巻: 104
掲載号: 152
掲載ページ: 13～16
掲載年月日（W3CDTF）: 2004-06-30
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: Silicononinsulator(SOI)基板
部分SOI技術
シリコンゲルマニウム
Silicon on insulator (SOI) substrate
patterned SOI
SiGe
selective etching
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2004-50
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 7036699
http://id.ndl.go.jp/bib/7036699
整理区分コード: 632