4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術

• 資料種別: 記事
• タイトル: 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術
• 著者・編者: 大津賀 一雄; 倉田 英明; 笹子 佳孝 他
• 著者標目: 大津賀 一雄; 倉田 英明; 笹子 佳孝
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 104(250) 2004.8.19
• 掲載巻: 104
• 掲載号: 250
• 掲載ページ: 19～23
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-08-19
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: チャージシェア書込み方式; セルフブースト書込み方式; Flash Memory; Multi-Level Technology; Charge-Sharing Scheme; Self-Boosting Scheme
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ICD2004-65
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7090307; http://id.ndl.go.jp/bib/7090307
• 整理区分コード: 632