招待論文 HfO2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル (IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

招待論文 HfO2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル

(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

国立国会図書館請求記号: Z16-940
国立国会図書館書誌ID: 7252745

資料種別: 記事

著者: 鳥居和功ほか

出版者: 東京 : 電子情報通信学会

出版年: 2005-01-21

資料形態: 紙

掲載誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104(577) 2005.1.21

掲載ページ: p.29～33

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紙

資料種別: 記事
タイトル: 招待論文 HfO2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル
著者・編者: 鳥居和功
白石賢二
宮崎誠一他
シリーズタイトル: IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
著者標目: 鳥居和功
白石賢二
宮崎誠一
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 104(577) 2005.1.21
掲載巻: 104
掲載号: 577
掲載ページ: 29～33
掲載年月日（W3CDTF）: 2005-01-21
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 絶縁破壊
酸素欠陥
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: SDM2004-216
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 7252745
http://id.ndl.go.jp/bib/7252745
整理区分コード: 632

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