Advancement of Numerical Investigation of a Silicon Czochralski Growth with Application of a Transverse Magnetic Field (小特集:Si系単結晶・多結晶)

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Advancement of Numerical Investigation of a Silicon Czochralski Growth with Application of a Transverse Magnetic Field(小特集:Si系単結晶・多結晶)

掲載誌名: 日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 32(4) 2005

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資料種別: 記事
タイトル: Advancement of Numerical Investigation of a Silicon Czochralski Growth with Application of a Transverse Magnetic Field
著者・編者: Lijun Liu
Satoshi Nakano
Koichi Kakimoto
シリーズタイトル: 小特集:Si系単結晶・多結晶
著者標目: Lijun Liu
Satoshi Nakano
Koichi Kakimoto
並列タイトル等: 横磁場印加シリコンCZ炉内の熱流体解析
タイトル（掲載誌）: 日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
巻号年月日等（掲載誌）: 32(4) 2005
掲載巻: 32
掲載号: 4
掲載ページ: 306～313
掲載年月日（W3CDTF）: 2005
ISSN（掲載誌）: 0385-6275
ISSN-L（掲載誌）: 0385-6275
出版事項（掲載誌）: 大阪 : 日本結晶成長学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z15-339
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 7681676
http://id.ndl.go.jp/bib/7681676
整理区分コード: 632