Low-Leakage-Current Enhancement-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Using p-Type Gate Contact

掲載誌名: Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 45(8-11) (通号 439) 2006

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資料種別: 記事
タイトル: Low-Leakage-Current Enhancement-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Using p-Type Gate Contact
著者・編者: Norio Tsuyukuchi
Kentaro Nagamatsu
Yoshikazu Hirose 他
著者標目: Norio Tsuyukuchi
Kentaro Nagamatsu
Yoshikazu Hirose
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
巻号年月日等（掲載誌）: 45(8-11) (通号 439) 2006
掲載巻: 45
掲載号: 8-11
掲載通号: 439
掲載ページ: L319～321
掲載年月日（W3CDTF）: 2006
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: normally off mode
heterojunction field-effect transistor
pn junction
wide band gap
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z54-J337
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 7864217
http://id.ndl.go.jp/bib/7864217
整理区分コード: 632