触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長
• 著者・編者: 菅野 裕士; 権丈 淳; 佐道 泰造 他
• 著者標目: 菅野 裕士; 権丈 淳; 佐道 泰造
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(6) 2006.4.17・18
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 6
• 掲載ページ: 7～12
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-04
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 金属誘起固相成長; シリコンゲルマニウム; SiGe; 薄膜トランジスタ; 低温結晶化; 電解誘起成長; metal-induced lateral crystallization; silicon germanium; thin-film transistor; low-temperature crystallization; electric-field induced crystallization
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2006-2
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7905234; http://id.ndl.go.jp/bib/7905234
• 整理区分コード: 632