ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性

• 資料種別: 記事
• タイトル: ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性
• 著者・編者: 渡邉 一徳; 江崎 真彦; 中川 豪 他
• 著者標目: 渡邉 一徳; 江崎 真彦; 中川 豪
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(7) 2006.4.17・18
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 7
• 掲載ページ: 19～22
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-04
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 低温ポリシリコン; 横方向成長多結晶シリコン; 薄膜トランジスタ; ALCGプロセス; ダブルパルスレーザ; low temperature polycrystalline silicon; laterally grown polycrystalline silicon; thin film transistor; advanced lateral crystal growth process; double-pulsed laser
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: OME2006-4
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7905893; http://id.ndl.go.jp/bib/7905893
• 整理区分コード: 632