高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作

• 資料種別: 記事
• タイトル: 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作
• 著者・編者: 伊賀 龍三; 近藤 康洋; 竹下 達也 他
• 著者標目: 伊賀 龍三; 近藤 康洋; 竹下 達也
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(134) 2006.6.30
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 134
• 掲載ページ: 7～10
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-06-30
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 高抵抗Ru-InP; Zn拡散抑制; InGaAsP-MQW-DFBレーザ; 緩和振動周波数; 10Gb/s直接変調; 高温動作; high-resistive Ru-InP; buried structure; suppression of Zn diffusion; InGaAsP-MQW DFB laser; 10-Gb/s direct modulation; high temperature operation
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2006-20
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7977559; http://id.ndl.go.jp/bib/7977559
• 整理区分コード: 632