AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減

• 資料種別: 記事
• タイトル: AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減
• 著者・編者: 足立 光一朗; 中原 宏治; 葛西 淳一 他
• 著者標目: 足立 光一朗; 中原 宏治; 葛西 淳一
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(134) 2006.6.30
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 134
• 掲載ページ: 11～14
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-06-30
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 1.31μm発振; 低しきい電流; aluminum-free MBE; 1.31μm-lasing; low threshold current
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2006-21
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7977567; http://id.ndl.go.jp/bib/7977567
• 整理区分コード: 632