Ultrahigh-quality Silicon Carbide Single Crystals(Special Issue: Processing Design of Single Crystals and Textured Polycrystals for Advanced Electronic Devices)

• 資料種別: 記事
• タイトル: Ultrahigh-quality Silicon Carbide Single Crystals
• 著者・編者: 中村 大輔; 郡司島 造; 山口 聡 他
• シリーズタイトル: Special Issue: Processing Design of Single Crystals and Textured Polycrystals for Advanced Electronic Devices
• 著者標目: 中村 大輔; 郡司島 造; 山口 聡
• 並列タイトル等: 超高品質炭化珪素単結晶
• タイトル（掲載誌）: 豊田中央研究所R&Dレビュー = R&D review of Toyota CRDL / R&Dレビュー編集委員会 編
• 巻号年月日等（掲載誌）: 41(2) 2006.6
• 掲載巻: 41
• 掲載号: 2
• 掲載ページ: 5～10
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-06
• ISSN（掲載誌）: 0385-1508
• ISSN-L（掲載誌）: 0385-1508
• 出版事項（掲載誌）: 長久手町 (愛知県) : 豊田中央研究所
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: Semiconductor; Silicon carbide; Single crystal; Power device; Crystal growth; Dislocation; 半導体; 炭化珪素; 単結晶; パワーデバイス; 結晶成長; 転位
• NDLC: ZN11
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-948
• 関連情報（URI）: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3494699
• 関連情報（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3494699; http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3494699
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8010817; http://id.ndl.go.jp/bib/8010817
• 整理区分コード: 632