GaN-Based Vertical Field Effect Transistors with High Current Density Fabricated Using Self-Aligned Process

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaN-Based Vertical Field Effect Transistors with High Current Density Fabricated Using Self-Aligned Process
• 著者・編者: 森田 竜夫; 中澤 敏志; 上田 哲三 他
• シリーズタイトル: AWAD2006
• 著者標目: 森田 竜夫; 中澤 敏志; 上田 哲三
• 並列タイトル等: セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(138) 2006.7.3-5
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 138
• 掲載ページ: 185～188
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-07
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: GaN; InAlGaN; 電流コラプス; vertical; field effect transistor; current collapse
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2006-102
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8016811; http://id.ndl.go.jp/bib/8016811
• 整理区分コード: 632