MOSFETのサブスレッショルド特性を利用したスマート温度センサLSIの検討

• 資料種別: 記事
• タイトル: MOSFETのサブスレッショルド特性を利用したスマート温度センサLSIの検討
• 著者・編者: 上野 憲一; 廣瀬 哲也; 浅井 哲也 他
• 著者標目: 上野 憲一; 廣瀬 哲也; 浅井 哲也
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(189) 2006.7.27・28
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 189
• 掲載ページ: 61～65
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-07
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: CMOS; PTAT電流; サブスレッショルド領域; 極低消費電力; Temperature sensor; PTAT current; Subthreshold region; Ultralow-power
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ICD2006-71
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8017328; http://id.ndl.go.jp/bib/8017328
• 整理区分コード: 632