特別招待講演 バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発

• 資料種別: 記事
• タイトル: 特別招待講演 バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
• 著者・編者: 山口 晋平; 田井 香織; 平野 智之 他
• 著者標目: 山口 晋平; 田井 香織; 平野 智之
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(206) 2006.8.17・18
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 206
• 掲載ページ: 121～126
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-08
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: High-k; Gate-Lastプロセス; (110)基板; metal gate; Gate-Last process; (110)-substrate
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2006-146
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8047992; http://id.ndl.go.jp/bib/8047992
• 整理区分コード: 632