BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET (特集:IV族系ヘテロデバイス・システム材料技術の課題と展望)
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CiNii Research
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 竹廣 忍櫻庭 政夫室田 淳一 他
- シリーズタイトル
- タイトル(掲載誌)
- 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 126(9) 2006.9
- 掲載巻
- 126
- 掲載号
- 9
- 掲載ページ
- 1079~1082