3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善

• 資料種別: 記事
• タイトル: 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善
• 著者・編者: 金村 貴永; 泉田 貴士; 青木 伸俊 他
• 著者標目: 金村 貴永; 泉田 貴士; 青木 伸俊
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(255) 2006.9.26
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 255
• 掲載ページ: 25～29
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-09-26
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: FinFET; パンチスルー電流; raised source/drain; 移動度向上; 最適化; 3次元プロセスシミュレーション; 3次元デバイスシミュレーション; TCAD; drive current; punch-through current; mobility enhancement; optimization; 3-D process simulation; 3-D device simulation
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: VLD2006-43
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8082342; http://id.ndl.go.jp/bib/8082342
• 整理区分コード: 632