半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
• 著者・編者: 上田 雅也; 小島 一信; 船戸 充 他
• 著者標目: 上田 雅也; 小島 一信; 船戸 充
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(269) 2006.10.5・6
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 269
• 掲載ページ: 57～61
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-10
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 有機金属気相成長; semipolar {11-22}; InGaN/GaN quantum wells; metalorganic vapor phase epitaxy
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2006-162
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8539286; http://id.ndl.go.jp/bib/8539286
• 整理区分コード: 632