XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• 著者・編者: 小野島 紀夫; 東脇 正高; 須田 淳 他
• 著者標目: 小野島 紀夫; 東脇 正高; 須田 淳
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(271) 2006.10.5・6
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 271
• 掲載ページ: 35～38
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-10
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ; SiNパッシベーション; 触媒化学気相堆積法; 表面バリアハイト; X線光電子分光; 容量-電圧特性; AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor; SiN passivation; catalytic chemical vapor deposition; surface barrier height; x-ray photoelectron spectroscopy; capacitance-voltage
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2006-62
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8539778; http://id.ndl.go.jp/bib/8539778
• 整理区分コード: 632