ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響

• 資料種別: 記事
• タイトル: ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響
• 著者・編者: 淀 徳男; 白石 雄起; 平田 清隆 他
• 著者標目: 淀 徳男; 白石 雄起; 平田 清隆
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(271) 2006.10.5・6
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 271
• 掲載ページ: 45～49
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-10
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 六方晶GaN; ECRプラズマアシストMBE法; プロセスの低温化; Si(111)基板; イオンダメージ; Hexagonal-GaN; ECR-plasma assisted MBE; low temperature growth process; Si (111) substrate; ion damage
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2006-64
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8539861; http://id.ndl.go.jp/bib/8539861
• 整理区分コード: 632