InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響--(411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制

• 資料種別: 記事
• タイトル: InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響--(411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制
• 著者・編者: 渡邊 一世; 篠原 啓介; 北田 貴弘 他
• 著者標目: 渡邊 一世; 篠原 啓介; 北田 貴弘
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(379) 2006.11.24
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 379
• 掲載ページ: 21～25
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2006-11-24
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: (411)A超平坦ヘテロ界面; 相互コンダクタンス; gm; 遮断周波数; fT; 遅延時間解析; InP-HEMT; (411)A super-flat interfaces; Transconductance; Cutoff frequency; Delay-time analysis
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2006-198
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8572171; http://id.ndl.go.jp/bib/8572171
• 整理区分コード: 632