半導体SiC単結晶材料の開発動向(SiC結晶成長技術の現状と課題・動向) (特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術)

半導体SiC単結晶材料の開発動向(SiC結晶成長技術の現状と課題・動向)

(特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術)

国立国会図書館請求記号: Z15-362
国立国会図書館書誌ID: 8618832

資料種別: 記事

著者: 佐藤貴幸

出版者: 東久留米 : 光学工業技術協会

出版年: 2006-12

資料形態: 紙

掲載誌名: 光技術コンタクト = Optical and electro-optical engineering contact 44(12) (通号 517) 2006.12

掲載ページ: p.684～692

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紙

資料種別: 記事
タイトル: 半導体SiC単結晶材料の開発動向(SiC結晶成長技術の現状と課題・動向)
著者・編者: 佐藤貴幸
シリーズタイトル: 特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術
著者標目: 佐藤貴幸
タイトル（掲載誌）: 光技術コンタクト = Optical and electro-optical engineering contact
巻号年月日等（掲載誌）: 44(12) (通号 517) 2006.12
掲載巻: 44
掲載号: 12
掲載通号: 517
掲載ページ: 684～692
掲載年月日（W3CDTF）: 2006-12
ISSN（掲載誌）: 0913-7289
ISSN-L（掲載誌）: 0913-7289
出版事項（掲載誌）: 東久留米 : 光学工業技術協会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z15-362
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 8618832
http://id.ndl.go.jp/bib/8618832
整理区分コード: 632

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