絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス

• 資料種別: 記事
• タイトル: 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• 著者・編者: 金村 雅仁; 多木 俊裕; 今西 健治 他
• 著者標目: 金村 雅仁; 多木 俊裕; 今西 健治
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(459) 2007.1.17-19
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 459
• 掲載ページ: 199～203
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2007-01
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ; 基地局; MIS; Si3N4; AlGaN/GaN HEMT; Base Station; Current collapse
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2006-236
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8639323; http://id.ndl.go.jp/bib/8639323
• 整理区分コード: 632