InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果

• 資料種別: 記事
• タイトル: InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
• 著者・編者: 小山 政俊; 高橋 寛; 井上 達也 他
• 著者標目: 小山 政俊; 高橋 寛; 井上 達也
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 106(521) 2007.2.1・2
• 掲載巻: 106
• 掲載号: 521
• 掲載ページ: 67～71
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2007-02
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: InAs/AlGaSbヘテロ構造; バリスティック電子輸送; 非線形電子輸送特性; 極微構造; 整流効果; InAs/AlGaSb heterostructures; Ballistic electron transport; Nonlinear electron transport properties; Mesoscopic structures; Rectification effects
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2006-240
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 8678812; http://id.ndl.go.jp/bib/8678812
• 整理区分コード: 632