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中性原子発生装置の開発とナノスケール半導体薄膜形成への応用に関する研究

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中性原子発生装置の開発とナノスケール半導体薄膜形成への応用に関する研究

国立国会図書館請求記号
Z74-E777
国立国会図書館書誌ID
8909720
資料種別
記事
著者
古川 雅一ほか
出版者
室蘭 : 室蘭工業大学地域共同研究開発センター
出版年
2006-11
資料形態
掲載誌名
室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告 (17) 2006.11
掲載ページ
中扉1枚,23~31
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
古川 雅一
福田 永
佐藤 孝紀
タイトル(掲載誌)
室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告
巻号年月日等(掲載誌)
(17) 2006.11
掲載号
17
掲載ページ
中扉1枚,23~31
掲載年月日(W3CDTF)
2006-11
出版事項(掲載誌)
室蘭 : 室蘭工業大学地域共同研究開発センター
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
NDLC
対象利用者
一般
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z74-E777
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
書誌ID(NDLBibID)
8909720
整理区分コード
632