メタルゲート/高誘電...

メタルゲート/高誘電率絶縁膜スタックの最前線

記事を表すアイコン

メタルゲート/高誘電率絶縁膜スタックの最前線

国立国会図書館請求記号
Z15-243
国立国会図書館書誌ID
8939693
資料種別
記事
著者
奈良 安雄
出版者
東京 : 応用物理学会
出版年
2007-09
資料形態
掲載誌名
応用物理 76(9) 2007.9
掲載ページ
p.1006~1012
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
奈良 安雄
著者標目
並列タイトル等
Metal gate/high-k gate stack technology for advanced CMOS
タイトル(掲載誌)
応用物理
巻号年月日等(掲載誌)
76(9) 2007.9
掲載巻
76
掲載号
9
掲載ページ
1006~1012