多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性

• 資料種別: 記事
• タイトル: 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性
• 著者・編者: 田村 隆博; 小谷 淳二; 大井 幸多
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 田村 隆博; 小谷 淳二; 大井 幸多
• 並列タイトル等: High stability of drain current at high temperatures in multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMT
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 107(319) 2007.11.16
• 掲載巻: 107
• 掲載号: 319
• 掲載ページ: 19～22
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2007-11-16
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN; AlGaN; 高電子移動度トランジスタ; HEMT; 多重台形型チャネル(MMC)構造; high electron mobility transistor; Multi-mesa-channel (MMC) structure
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2007-182
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9290037; http://id.ndl.go.jp/bib/9290037
• 整理区分コード: 632