イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価
• 著者・編者: 松之内 恵子; 小松 直佳; 木村 千春 他
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 松之内 恵子; 小松 直佳; 木村 千春
• 並列タイトル等: Electrical characterization of Yttriumaluminate film
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 107(320) 2007.11.16
• 掲載巻: 107
• 掲載号: 320
• 掲載ページ: 1～6
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2007-11-16
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ゲート絶縁膜; 高誘電率; High-K; ワイドバンドギャップ半導体; イットリウム; Al2O3; MIS構造; gate insulator; high dielectric constant; wide bandgap semiconductor; Yttrium; MIS structure; SiC; diamond
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2007-214
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9290080; http://id.ndl.go.jp/bib/9290080
• 整理区分コード: 632