高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理

• 資料種別: 記事
• タイトル: 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理
• 著者・編者: 二ツ木 高志; 大江 太郎; 青木 秀充 他
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 二ツ木 高志; 大江 太郎; 青木 秀充
• 並列タイトル等: Oxidation of SiC and GaN surface using high pressure and high temperature water
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 107(320) 2007.11.16
• 掲載巻: 107
• 掲載号: 320
• 掲載ページ: 13～17
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2007-11-16
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: SiC; GaN; FET; 酸化膜; 超臨界水; 亜臨界水; 高温高圧水; oxide; supercritical water; subcritical water; high pressure; high temperature
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2007-216
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9290083; http://id.ndl.go.jp/bib/9290083
• 整理区分コード: 632