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シリコン表面の窒化初...

シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成 (小特集 極表面の窒化--その制御と計測)

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シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成(小特集 極表面の窒化--その制御と計測)

国立国会図書館請求記号
Z16-474
国立国会図書館書誌ID
9303707
資料種別
記事
著者
近藤 博基ほか
出版者
東京 : 日本真空協会
出版年
2007-11
資料形態
掲載誌名
真空 = Journal of the Vacuum Society of Japan 50(11) 2007.11
掲載ページ
p.665~671
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
近藤 博基
財満 鎭明
堀 勝 他
並列タイトル等
Initial stage of processes and energy bandgap formation in nitridation of silicon surface using nitrogen radicals
タイトル(掲載誌)
真空 = Journal of the Vacuum Society of Japan
巻号年月日等(掲載誌)
50(11) 2007.11
掲載巻
50
掲載号
11