MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長
• 著者・編者: 山口 雅史; 白 知鉉; 西脇 達也 他
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 山口 雅史; 白 知鉉; 西脇 達也
• 並列タイトル等: MBE-VLS growth of GaAs nanowires on (111)Si substrate
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 107(474) 2008.1.30・31
• 掲載巻: 107
• 掲載号: 474
• 掲載ページ: 1～4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2008-01
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: VLS; MBE; GaAsナノワイヤ; Si基板; GaAs Nanowire; Silicon substrate
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2007-248
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9376822; http://id.ndl.go.jp/bib/9376822
• 整理区分コード: 632