GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析
• 著者・編者: 板垣 圭一; 中島 敦; 堀尾 和重
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 板垣 圭一; 中島 敦; 堀尾 和重
• 並列タイトル等: Analysis of field-plate effects on buffer-related current collapse in GaN-based FETs
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 107(420) 2008.1.16-18
• 掲載巻: 107
• 掲載号: 420
• 掲載ページ: 1～5
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2008-01
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN; MESFET; HEMT; フィールドプレート; 電流コラプス; 2次元数値解析; Field Plate; Current Collapse; Two-Dimensional Numerical Analysis
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2007-206
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9377667; http://id.ndl.go.jp/bib/9377667
• 整理区分コード: 632