樹脂封止実装時の残留応力に起因したnMOSFETのDC特性値変動評価と電子移動度モデルに関する検討

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樹脂封止実装時の残留応力に起因したnMOSFETのDC特性値変動評価と電子移動度モデルに関する検討

国立国会図書館請求記号
Z16-607
国立国会図書館書誌ID
9453904
資料種別
記事
著者
小金丸 正明ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
出版年
2008-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編 91(4) (通号 484) 2008.4
掲載ページ
p.257~272
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
小金丸 正明
池田 徹
宮崎 則幸 他
並列タイトル等
Evaluation of DC characteristics shifts in resin-molded nMOSFETs and examination of electron mobility model for stress effects
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
91(4) (通号 484) 2008.4
掲載巻
91
掲載号
4
掲載通号
484