43nmCMOS技術を用いた120mm[2] 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発

• 資料種別: 記事
• タイトル: 43nmCMOS技術を用いた120mm[2] 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発
• 著者・編者: 中村 大; 神田 和重; 小柳 勝 他
• シリーズタイトル: 集積回路
• 著者標目: 中村 大; 神田 和重; 小柳 勝
• 並列タイトル等: A 120mm[2] 16Gb 4-MLC NAND flash memory with 43nm CMOS technology
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 108(6) 2008.4.17・18
• 掲載巻: 108
• 掲載号: 6
• 掲載ページ: 25～29
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2008-04
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: NANDフラッシュメモリ; 43nm; CMOS; microSDカード; NAND Flash Memory; micro SD card
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ICD2008-5
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9489148; http://id.ndl.go.jp/bib/9489148
• 整理区分コード: 632