低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価
• 著者・編者: 曽根川 富博; 上原 和浩; 前濱 剛廣
• シリーズタイトル: 有機エレクトロニクス
• 著者標目: 曽根川 富博; 上原 和浩; 前濱 剛廣
• 並列タイトル等: Preparation and characterization of thermal oxidization anodized Si with a low-k dielectric constant
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 108(2) 2008.4.11・12
• 掲載巻: 108
• 掲載号: 2
• 掲載ページ: 41～46
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2008-04
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 陽極化成シリコン; 多孔質SiO2; Low-k絶縁材料; 多孔度; Anodized Silicon; Oxidized Porous Silicon; Low-k material; porosity
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: OME2008-9
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9489485; http://id.ndl.go.jp/bib/9489485
• 整理区分コード: 632