High electron mobility exceeding 104 cm[2] V[-1] s[-1] in MgxZn1-xO/ZnO single heterostructures grown by molecular beam epitaxy

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資料種別: 記事
タイトル: High electron mobility exceeding 104 cm[2] V[-1] s[-1] in MgxZn1-xO/ZnO single heterostructures grown by molecular beam epitaxy
著者・編者: Atsushi Tsukazaki
Hiroyuki Yuji
Shunsuke Akasaka 他
著者標目: Atsushi Tsukazaki
Hiroyuki Yuji
Shunsuke Akasaka
タイトル（掲載誌）: Applied physics express : APEX
巻号年月日等（掲載誌）: 1(5) 2008.5
掲載巻: 1
掲載号: 5
掲載ページ: 055004-1～3
掲載年月日（W3CDTF）: 2008-05
ISSN（掲載誌）: 1882-0778
ISSN-L（掲載誌）: 1882-0778
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z78-A526
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 9556914
http://id.ndl.go.jp/bib/9556914
整理区分コード: 632