AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価 (電子デバイス)

AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価

(電子デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価
著者・編者: 田島正文
小谷淳二
菅原克也他
シリーズタイトル: 電子デバイス
著者標目: 田島正文
小谷淳二
菅原克也
並列タイトル等: Deep levels in AlGaN and operation stability of AlGaN/GaN HEMT
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 108(87) 2008.6.13・14
掲載巻: 108
掲載号: 87
掲載ページ: 11～16
掲載年月日（W3CDTF）: 2008-06
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: AlGaN
GaN
HEMT
深い準位
DLTS
光容量測定
酸化
安定性
deep levels
photo capacitance
oxidation
stability
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2008-24
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 9573341
http://id.ndl.go.jp/bib/9573341
整理区分コード: 632