シリコン表面に吸着し...

シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ

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シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ

国立国会図書館請求記号
Z8-569
国立国会図書館書誌ID
9583832
資料種別
記事
著者
漁 剛志
出版者
山口 : 山口県立山口博物館
出版年
2008-03
資料形態
掲載誌名
山口県立山口博物館研究報告 (34) 2008.3
掲載ページ
p.1~6
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
漁 剛志
著者標目
並列タイトル等
Calculation approach of photon stimulated ion desorption of adsorbed H atoms on Si surface
タイトル(掲載誌)
山口県立山口博物館研究報告
巻号年月日等(掲載誌)
(34) 2008.3
掲載号
34
掲載ページ
1~6
掲載年月日(W3CDTF)
2008-03