Impact of 180nm current controlled MCML for realizing stable circuit operations under threshold voltage fluctuations

• 資料種別: 記事
• タイトル: Impact of 180nm current controlled MCML for realizing stable circuit operations under threshold voltage fluctuations
• 著者・編者: Masashi Kamiyanagi; Yuto Norifusa; Tetsuo Endoh
• シリーズタイトル: Silicon devices and materials
• 著者標目: Masashi Kamiyanagi; Yuto Norifusa; Tetsuo Endoh
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 108(122) 2008.7.9-11
• 掲載巻: 108
• 掲載号: 122
• 掲載ページ: 233～238
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2008-07
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: Current Controlled-MCML; MCML; Vth Fluctuation; Stability; NMOS; PMOS
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2008-102
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9605342; http://id.ndl.go.jp/bib/9605342
• 整理区分コード: 632