低消費電力高速書き換えを実現するNiO抵抗変化型メモリー (企画の意図 小特集分類名:半導体A(シリコン) 新原理不揮発性半導体メモリー技術--ポストフラッシュメモリー)
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 角田 浩司
- 著者標目
- 並列タイトル等
- Low-power and high-speed resistive switching of nickel oxide thin films
- タイトル（掲載誌）
- 応用物理
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 77(9) 2008.9
- 掲載巻
- 77
- 掲載号
- 9