超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス

• 資料種別: 記事
• タイトル: 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス
• 著者・編者: 崔 成伯; 結城 明彦; 渡邊 宏志 他
• シリーズタイトル: レーザ・量子エレクトロニクス
• 著者標目: 崔 成伯; 結城 明彦; 渡邊 宏志
• 並列タイトル等: Ultrathin InN/(In)GaN quantum well structure for a new active layer of blue-green light emitter
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 108(323) 2008.11.27・28
• 掲載巻: 108
• 掲載号: 323
• 掲載ページ: 51～55
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2008-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: InN; 超薄膜量子井戸; 発光ダイオード; 量子閉じ込めシュタルク効果; Ultrathin quantum well; Light-emitting diodes; Quantum-confined Stark effect; QCSE
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2008-107
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9738669; http://id.ndl.go.jp/bib/9738669
• 整理区分コード: 632