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GaAs,InAsナノウィスカーの成長と物性 (特集 化合物半導体ナノ作製技術の新展開)

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GaAs,InAsナノウィスカーの成長と物性(特集 化合物半導体ナノ作製技術の新展開)

国立国会図書館請求記号
Z15-379
国立国会図書館書誌ID
9746553
資料種別
記事
著者
比留間 健之ほか
出版者
東京 : 日本表面科学会
出版年
2008-12
資料形態
掲載誌名
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編 29(12) 2008.12
掲載ページ
p.736~739
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
比留間 健之
原口 恵一
矢沢 正光 他
並列タイトル等
Growth characteristics of GaAs and InAs nanowhiskers
タイトル(掲載誌)
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
29(12) 2008.12
掲載巻
29
掲載号
12