Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing (レーザ・量子エレクトロニクス)

記事を表すアイコン

Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing

(レーザ・量子エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
9794181
資料種別
記事
著者
Sungbong Parkほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-01
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108(419) 2009.1.29・30
掲載ページ
p.11~15
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
Sungbong Park
Shinya Takita
Yasuhiko Ishikawa 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
108(419) 2009.1.29・30
掲載巻
108
掲載号
419
掲載ページ
11~15