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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号108(406)-108(412) 20090100-20090100
記事High-k/SiO...

High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源

(シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
9795213
資料種別
記事
著者
喜多 浩之ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-01-26
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108(407) 2009.1.26
掲載ページ
p.5～8
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紙

資料種別
記事
タイトル
High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源
著者・編者
喜多 浩之
鳥海 明
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
著者標目
喜多 浩之
鳥海 明
並列タイトル等
Intrinsic origin of electric dipoles formed at high-k/SiO2 interface
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
108(407) 2009.1.26
掲載巻
108
掲載号
407