ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面平坦化によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上
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書誌情報
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- 資料種別
- 文書・図像類
- タイトルよみ
- ポリシルセスキオキサンゲート ゼツエンマク ノ ヒョウメン ヘイタンカ ニ ヨル ペンタセン ハクマク トランジスタ ノ キャリア イドウド コウジョウ
- 著者・編者
- 道浦, 大祐中原, 佳夫宇野, 和行田中, 一郎
- 出版事項
- 出版年月日等
- 2017-03-01
- 出版年(W3CDTF)
- 2017-03-01
- 並列タイトル等
- Improving the carrier mobility of pentacene thin film transistors by surface flattened polysilsesquioxane gate dielectric layers
- タイトル(掲載誌)
- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 64
- 掲載巻
- 64
- 掲載ページ
- 2546-2546
- ISSN(掲載誌)
- PISSN : 24367613
- 本文の言語コード
- jpn
- 件名標目
- 対象利用者
- 一般
- 一般注記
- 出版タイプ: VoR
- オンライン閲覧公開範囲
- インターネット公開
- 著作権情報
- © 2017 公益社団法人 応用物理学会
- 関連情報(DOI)
- 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2546
- 掲載誌(NCID)
- AN00360987
- 連携機関・データベース
- 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
- 提供元機関・データベース
- 和歌山大学 : 和歌山大学学術リポジトリ