III-V族窒化物半導体の内殻励起による可視-紫外発光

• 資料種別: 図書
• タイトル: III-V族窒化物半導体の内殻励起による可視-紫外発光
• 著者・編者: 浜田, 信吉; A, ASHIR; 竹島, 弘太郎; 福井, 一俊; 直江, 俊一; 平山, 秀樹; 柴田, 智彦; 三宅, 秀人; 平松, 和政; HAMADA, S; TAKESHIMA, K; FUKUI, K; NAOE, S; HIRAYAMA, H; SHIBATA, T; MIYAKE, H; HIRAMATSU, K
• 著者標目: 浜田, 信吉; A, ASHIR; 竹島, 弘太郎; 福井, 一俊; 直江, 俊一; 平山, 秀樹; 柴田, 智彦; 三宅, 秀人; 平松, 和政; HAMADA, S; TAKESHIMA, K; FUKUI, K; NAOE, S; HIRAYAMA, H; SHIBATA, T; MIYAKE, H; HIRAMATSU, K
• 出版年月日等: 2005-03
• 出版年（W3CDTF）: 2005-03
• 並列タイトル等: Visible-UV Photoluminescence Spectra in III-V Nitride Semiconductors by Using Inner Shell Electron Excitation
• タイトル（掲載誌）: 遠赤外領域開発研究
• 巻号年月日等（掲載誌）: 6
• 掲載巻: 6
• 掲載ページ: 151-156
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 福井大学 : 福井大学リポジトリ

• 要約等: Both the ternary AlGaN and the quaternary InAlGaN alloys are promising semiconductors for ultraviolet LEDs and LDs. Visible-ultraviolet photoluminesce...