Thick (~1um) p-type InxGa1?x N (x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570C)

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Thick (~1um) p-type InxGa1?x N (x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570C)
• 著者・編者: Yamamoto, A.; Hasan, Md. T.; Kodama, K.; Shigekawa, N.; Kuzuhara, M.
• 著者標目: Yamamoto, A.; Hasan, Md. T.; Kodama, K.; Shigekawa, N.; Kuzuhara, M.
• 出版事項: Wiley-VCH Verlag
• 出版年月日等: 2015-02
• 出版年（W3CDTF）: 2015-02
• タイトル（掲載誌）: Physica Status Solidi (b)
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2015
• 掲載巻: 2015
• 掲載ページ: 1-4
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: annealing; doping; InGaN; magnesium; MOVPE; phase separation
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: This paper reports the post-growth annealing effects of low-temperature grown Mg-doped InGaN. By using MOVPE, 1?μm-thick Mg-doped InxGa1?xN (x?~?0.36) films are grown at 570?°C. In order to activate the Mg acceptors, grown samples are treated by the conventional furnace annealing (FA) or the rapid thermal annealing (RTA). In the case of the FA at 650?°C for 20?min, the InGaN film is phase-separated. On the other hand, the RTA at a temperature higher than 700?°C enables us to get p-type samples. By using the RTA at 850 for 20?s, p-type samples with a hole concentration 1018?1019?cm?3 are successfully obtained without phase separation.
• 一次資料へのリンクURL: https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=22313&item_no=1&attribute_id=22&file_no=1
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 関連情報（DOI）: 10.1002/pssb.201451736
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 福井大学 : 福井大学学術機関リポジトリ