博士論文

Monitoring Function for Gate Oxide Degradation to Improve Reliability of SiC MOSFETs Implemented in Power Conversion Circuits

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Monitoring Function for Gate Oxide Degradation to Improve Reliability of SiC MOSFETs Implemented in Power Conversion Circuits

資料種別
博士論文
著者
林, 真一郎
出版者
-
出版年
-
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京都立大学,博士（工学）
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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトル
Monitoring Function for Gate Oxide Degradation to Improve Reliability of SiC MOSFETs Implemented in Power Conversion Circuits
著者・編者
林, 真一郎
著者標目
林, 真一郎 ハヤシ, シンイチロウ
並列タイトル等
電力変換回路に実装されたSiC MOSFETの信頼性向上を目的としたゲート酸化膜劣化監視機能
掲載ページ
1-138
授与機関名
東京都立大学
授与年月日
2022-03-25
報告番号
甲第1138号
学位
博士（工学）